點(diǎn)評(píng)：威剛作為一線內(nèi)存大廠，萬(wàn)紫千紅系列4GB DDR3-1333內(nèi)存的內(nèi)存顆粒芯片采用一線大廠A級(jí)別產(chǎn)品，超頻潛力更大。整體做工精湛，用料足，擁有良好的電氣性能和優(yōu)異的兼容性，并且通過(guò)完整且嚴(yán)格的實(shí)機(jī)測(cè)試。目前其售價(jià)為135元。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存
   [市場(chǎng)售價(jià)] 135元

漲價(jià)領(lǐng)頭羊 金士頓4G報(bào)價(jià)138元

4GB DDR3-1333內(nèi)存價(jià)格近期一路狂飆，性價(jià)比降低，原先不少網(wǎng)友延遲購(gòu)買2根4GB內(nèi)存升級(jí)電腦。金士頓所謂業(yè)界第一品牌，往往帶頭漲價(jià)，金士頓 4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存報(bào)價(jià)為138元。該內(nèi)存做工中規(guī)中矩，并且使用窄版PCB電路板，它的顆粒由于打磨成金士頓LOGO，無(wú)法了解其超頻潛力。

金士頓4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存

 
金士頓4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存的標(biāo)簽特寫

金士頓4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存單條容量為4GB，采用256MBx8bit組織方式，運(yùn)行頻率為DDR3-1333(等效于PC3-10600)，標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序9-9-9-24。這款內(nèi)存的表面粘貼有“恒盈電子”防偽標(biāo)簽，方便用戶進(jìn)行購(gòu)買防偽。

金士頓4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存的背面特寫

金士頓4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存

評(píng)語(yǔ)：金士頓4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存的做工尚可，采用6層PCB板，擁有良好的電氣性能，通過(guò)完整且嚴(yán)格的實(shí)機(jī)測(cè)試，具有良好的穩(wěn)定性和兼容性。

金士頓4GB DDR3-1333窄版內(nèi)存
   [參考價(jià)格] 138元

30nm芯片 三星4G黑武士報(bào)165元

由于40nm內(nèi)存芯片庫(kù)存巨大，30nm內(nèi)存芯片顆粒推遲普及上市，消費(fèi)者能買到的DDR3-1600普通內(nèi)存寥寥可數(shù)。三星目前已無(wú)40nm生產(chǎn)線，因?yàn)?0nm內(nèi)存芯片普及速度較快，旗下4GB DDR3-1600“黑武士”原廠內(nèi)存報(bào)價(jià)165元。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存(包裝)

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的性能參數(shù)說(shuō)明

內(nèi)存的包裝背面有詳細(xì)“性能參數(shù)說(shuō)明”，從中可以得知其內(nèi)存的兼容性涵蓋范圍相當(dāng)廣，從最早出現(xiàn)的 DDR3-800MHz一直到DDR3-1600MHz。其內(nèi)存頻率越高，內(nèi)存時(shí)序隨之加大，DDR3-1600高達(dá)11-11-11-28，此為 1600MHz頻率的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序。

性能參數(shù)的下面中文，則標(biāo)注其采納目前30nm等級(jí)的制造工藝，是目前中國(guó)市場(chǎng)中最先進(jìn)的內(nèi)存顆粒制造工藝，符合240針 DDR3臺(tái)式機(jī)內(nèi)存接口。它率先支持1.35伏低電壓，首次在臺(tái)式機(jī)內(nèi)存上實(shí)現(xiàn)低于1.5伏標(biāo)準(zhǔn)電壓，不過(guò)筆者隨后的測(cè)試發(fā)現(xiàn)，其實(shí)際電壓比標(biāo)稱更低，發(fā)熱和功耗進(jìn)一步減少。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的正面

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存單條容量為4GB，運(yùn)行頻率為DDR3-1600(等效于PC3-12800)，標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序11-11-11-28。其編號(hào)為 M379B5273DH0-YK0，于2011年第39周產(chǎn)于韓國(guó)三星內(nèi)存工廠。金手指方面采用流行的化學(xué)鍍工藝，耐磨度較高。在標(biāo)簽下面印有 “GREEN DDR3”的燙金字樣。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的背面

新版三星內(nèi)存采用黑色窄版設(shè)計(jì)，大小只有傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品的三分之二；其內(nèi)存顆粒采用30nm級(jí)半導(dǎo)體技術(shù)，比40-60nm存儲(chǔ)設(shè)備降低30-47%的能耗。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片特寫

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片編號(hào)為K4B2G0846D，其較之40nm的體積更小，還增加了內(nèi)存的頻率，增強(qiáng)內(nèi)存的穩(wěn)定性，降低電壓達(dá)到節(jié)能目的。據(jù)聞此顆粒的超頻潛力巨大。

點(diǎn)評(píng)：三星4GB DDR3-1600“黑武士”是目前唯一能買到的普通內(nèi)存，售價(jià)和4GB DDR3-1333內(nèi)存的價(jià)格差異不大，但是頻率更高，更具有韓國(guó)原廠品質(zhì)。

三星4GB DDR3-1600“黑武士”內(nèi)存

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本文標(biāo)題：圍觀價(jià)格上漲 四款4GB/1333內(nèi)存搜羅

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