宇瞻經(jīng)典系列4GB DDR3-1333內(nèi)存采用6層墨綠色PCB板設(shè)計，雙面搭載16顆容量為256MB的DDR3內(nèi)存顆粒。

點評：宇瞻經(jīng)典系列4GB DDR3-1333內(nèi)存近日也更換了全新的包裝盒，希望在全新的內(nèi)存市場中可以打出一片更大的空間，做為穩(wěn)定性以及優(yōu)秀顆粒的廠商代表，性價比很高，有需求的用戶不妨考慮一下。

宇瞻4GB DDR3-1333內(nèi)存(經(jīng)典系列)
  [市場售價] 132元(有效期至4月30日)

高性價提升 威剛4G內(nèi)存貨源充足

做為臺灣優(yōu)秀廠商的威剛科技，其萬紫千紅系列內(nèi)存主打消費機家用機市場，目前很多辦公電腦以及入門配置均選取該內(nèi)存做為首選，高性價比以及低廉的價格不斷受到商機及消費者的推薦，目前售價134元，值得入手。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存標簽

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存工作電壓以1.5V設(shè)計，低于目前DDR2-800 1.8V 的工作電壓，可以節(jié)能30%左右。這條內(nèi)存還增添了CWD寫入延遲功能、Reset超省電功能、ZQ終端電阻校準功能、SRT可程序化溫度控制內(nèi)存頻率功 能、RASR局部 Bank刷新功能等，讓DDR3內(nèi)存擁有更強的數(shù)據(jù)讀寫及能源節(jié)約能力，讓您的電腦性能得到更為出色的提升。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存單條容量為4GB，采用寬版內(nèi)存模組設(shè)計，全高6層紫色PCB板設(shè)計，擁有更好的電氣性能。內(nèi)存顆粒采用256MBx8bit組織 方式，雙面共計16顆內(nèi)存顆粒芯片設(shè)計，運行頻率為DDR3-1333(等效于PC3-10600)，標準時序9-9-9-24。右側(cè)貼有威剛北京總代 “銳馳恒威”的標簽。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存的顆粒芯片特寫

點評：前期的白菜價格讓很多用戶選擇組雙通道來實現(xiàn)更高的性能提升，雖然近日的價格變動偏高，但20多元的額外負擔也不足為過。目前威剛實體店售價134元，感興趣的朋友不妨購買一試。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存
   [市場售價] 134元(有效期至4月30日)

貨源緊張 三星4G窄版內(nèi)存熱銷中

爾必達宣告破產(chǎn)保護后，三星目前穩(wěn)居第一大顆粒制造廠商，旗下主打的低功耗窄版內(nèi)存也深受發(fā)燒友的歡迎。

筆者在賣場中了解到，目前三星4GB DDR3-1600“黑武士”原廠內(nèi)存報價165元，完全沒有受到其他品牌調(diào)價的影響，坐懷不亂之勢更吸引消費者的目光。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存(包裝)

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的性能參數(shù)說明

內(nèi)存的包裝背面有詳細“性能參數(shù)說明”，從中可以得知其內(nèi)存的兼容性涵蓋范圍相當廣，從最早出現(xiàn)的 DDR3-800MHz一直到DDR3-1600MHz。其內(nèi)存頻率越高，內(nèi)存時序隨之加大，DDR3-1600高達11-11-11-28，此為 1600MHz頻率的標準時序。

性能參數(shù)的下面中文，則標注其采納目前30nm等級的制造工藝，是目前中國市場中最先進的內(nèi)存顆粒制造工藝，符合240針 DDR3臺式機內(nèi)存接口。它率先支持1.35伏低電壓，首次在臺式機內(nèi)存上實現(xiàn)低于1.5伏標準電壓，不過筆者隨后的測試發(fā)現(xiàn)，其實際電壓比標稱更低，發(fā)熱和功耗進一步減少。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的正面

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存單條容量為4GB，運行頻率為DDR3-1600(等效于PC3-12800)，標準時序11-11-11-28。其編號為 M379B5273DH0-YK0，于2011年第39周產(chǎn)于韓國三星內(nèi)存工廠。金手指方面采用流行的化學鍍工藝，耐磨度較高。在標簽下面印有 “GREEN DDR3”的燙金字樣。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的背面

新版三星內(nèi)存采用黑色窄版設(shè)計，大小只有傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品的三分之二；其內(nèi)存顆粒采用30nm級半導體技術(shù)，比40-60nm存儲設(shè)備降低30-47%的能耗。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片特寫

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片編號為K4B2G0846D，其較之40nm的體積更小，還增加了內(nèi)存的頻率，增強內(nèi)存的穩(wěn)定性，降低電壓達到節(jié)能目的。據(jù)聞此顆粒的超頻潛力巨大。

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本文標題：向8G容量進軍 四款熱銷臺機內(nèi)存季集結(jié)

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