宇瞻經(jīng)典系列4GB DDR3-1333內(nèi)存采用6層墨綠色PCB板設(shè)計(jì)，雙面搭載16顆容量為256MB的DDR3內(nèi)存顆粒。

點(diǎn)評(píng)：宇瞻經(jīng)典系列4GB DDR3-1333內(nèi)存近日也更換了全新的包裝盒，希望在全新的內(nèi)存市場(chǎng)中可以打出一片更大的空間，做為穩(wěn)定性以及優(yōu)秀顆粒的廠商代表，性價(jià)比很高，有需求的用戶不妨考慮一下。

宇瞻4GB DDR3-1333內(nèi)存(經(jīng)典系列)
  [市場(chǎng)售價(jià)] 132元(有效期至4月30日)

高性價(jià)提升 威剛4G內(nèi)存貨源充足

做為臺(tái)灣優(yōu)秀廠商的威剛科技，其萬紫千紅系列內(nèi)存主打消費(fèi)機(jī)家用機(jī)市場(chǎng)，目前很多辦公電腦以及入門配置均選取該內(nèi)存做為首選，高性價(jià)比以及低廉的價(jià)格不斷受到商機(jī)及消費(fèi)者的推薦，目前售價(jià)134元，值得入手。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存標(biāo)簽

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存工作電壓以1.5V設(shè)計(jì)，低于目前DDR2-800 1.8V 的工作電壓，可以節(jié)能30%左右。這條內(nèi)存還增添了CWD寫入延遲功能、Reset超省電功能、ZQ終端電阻校準(zhǔn)功能、SRT可程序化溫度控制內(nèi)存頻率功 能、RASR局部 Bank刷新功能等，讓DDR3內(nèi)存擁有更強(qiáng)的數(shù)據(jù)讀寫及能源節(jié)約能力，讓您的電腦性能得到更為出色的提升。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存單條容量為4GB，采用寬版內(nèi)存模組設(shè)計(jì)，全高6層紫色PCB板設(shè)計(jì)，擁有更好的電氣性能。內(nèi)存顆粒采用256MBx8bit組織 方式，雙面共計(jì)16顆內(nèi)存顆粒芯片設(shè)計(jì)，運(yùn)行頻率為DDR3-1333(等效于PC3-10600)，標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序9-9-9-24。右側(cè)貼有威剛北京總代 “銳馳恒威”的標(biāo)簽。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存的顆粒芯片特寫

點(diǎn)評(píng)：前期的白菜價(jià)格讓很多用戶選擇組雙通道來實(shí)現(xiàn)更高的性能提升，雖然近日的價(jià)格變動(dòng)偏高，但20多元的額外負(fù)擔(dān)也不足為過。目前威剛實(shí)體店售價(jià)134元，感興趣的朋友不妨購(gòu)買一試。

威剛?cè)f紫千紅4GB DDR3-1333內(nèi)存
   [市場(chǎng)售價(jià)] 134元(有效期至4月30日)

貨源緊張 三星4G窄版內(nèi)存熱銷中

爾必達(dá)宣告破產(chǎn)保護(hù)后，三星目前穩(wěn)居第一大顆粒制造廠商，旗下主打的低功耗窄版內(nèi)存也深受發(fā)燒友的歡迎。

筆者在賣場(chǎng)中了解到，目前三星4GB DDR3-1600“黑武士”原廠內(nèi)存報(bào)價(jià)165元，完全沒有受到其他品牌調(diào)價(jià)的影響，坐懷不亂之勢(shì)更吸引消費(fèi)者的目光。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存(包裝)

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的性能參數(shù)說明

內(nèi)存的包裝背面有詳細(xì)“性能參數(shù)說明”，從中可以得知其內(nèi)存的兼容性涵蓋范圍相當(dāng)廣，從最早出現(xiàn)的 DDR3-800MHz一直到DDR3-1600MHz。其內(nèi)存頻率越高，內(nèi)存時(shí)序隨之加大，DDR3-1600高達(dá)11-11-11-28，此為 1600MHz頻率的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序。

性能參數(shù)的下面中文，則標(biāo)注其采納目前30nm等級(jí)的制造工藝，是目前中國(guó)市場(chǎng)中最先進(jìn)的內(nèi)存顆粒制造工藝，符合240針 DDR3臺(tái)式機(jī)內(nèi)存接口。它率先支持1.35伏低電壓，首次在臺(tái)式機(jī)內(nèi)存上實(shí)現(xiàn)低于1.5伏標(biāo)準(zhǔn)電壓，不過筆者隨后的測(cè)試發(fā)現(xiàn)，其實(shí)際電壓比標(biāo)稱更低，發(fā)熱和功耗進(jìn)一步減少。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的正面

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存單條容量為4GB，運(yùn)行頻率為DDR3-1600(等效于PC3-12800)，標(biāo)準(zhǔn)時(shí)序11-11-11-28。其編號(hào)為 M379B5273DH0-YK0，于2011年第39周產(chǎn)于韓國(guó)三星內(nèi)存工廠。金手指方面采用流行的化學(xué)鍍工藝，耐磨度較高。在標(biāo)簽下面印有 “GREEN DDR3”的燙金字樣。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的背面

新版三星內(nèi)存采用黑色窄版設(shè)計(jì)，大小只有傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品的三分之二；其內(nèi)存顆粒采用30nm級(jí)半導(dǎo)體技術(shù)，比40-60nm存儲(chǔ)設(shè)備降低30-47%的能耗。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片特寫

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的顆粒芯片編號(hào)為K4B2G0846D，其較之40nm的體積更小，還增加了內(nèi)存的頻率，增強(qiáng)內(nèi)存的穩(wěn)定性，降低電壓達(dá)到節(jié)能目的。據(jù)聞此顆粒的超頻潛力巨大。

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本文標(biāo)題：向8G容量進(jìn)軍 四款熱銷臺(tái)機(jī)內(nèi)存季集結(jié)

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