點評：宇瞻經(jīng)典系列4GB DDR3-1333內(nèi)存近日也更換了全新的包裝盒，希望在全新的內(nèi)存市場中可以打出一片更大的空間，做為穩(wěn)定性以及優(yōu)秀顆粒的廠商代表，性價比很高，有需求的用戶不妨考慮一下。

宇瞻4GB DDR3-1333內(nèi)存(經(jīng)典系列)
   [市場售價] 135元

游戲先鋒 金泰克4GB-1333內(nèi)存開售

金泰克DDR3游戲系列也增加了先進的異步重置技術(shù)與ZQ校準功能，應(yīng)用全新酷黑鋁強化散熱技術(shù)，全面優(yōu)化內(nèi)存參 數(shù)。喜歡玩游戲的用戶除了對CPU、顯卡關(guān)注外，其實也應(yīng)該關(guān)注一些對于游戲進行優(yōu)化的內(nèi)存，畢竟內(nèi)存對整機的性能也起到不小的作用，而該款金泰克游戲內(nèi) 存就是不錯的選擇。

金泰克4GB DDR3-1333游戲內(nèi)存

金泰克4GB/1333游戲內(nèi)存

金泰克單條4GB DDR3-1333游戲內(nèi)存采用了黑色的PCB板和黑色的散熱片，“大梳子”的散熱構(gòu)造給你不錯的散熱效果。

金泰克4GB/1333游戲內(nèi)存

金泰克4GB DDR3-1333內(nèi)存采用了8層黑色PCB板設(shè)計，相對于6層PCB板布線空間更大，擁有優(yōu)異的兼容性和穩(wěn)定性，充分保證信號傳輸穩(wěn)定性。黑色PCB電路板也彰顯出尊貴品質(zhì)，蘊藏有驚人潛力。

參數(shù)方面，金泰克4GB/1333游戲內(nèi)存為單條設(shè)計，采用256*8顆粒Flash，頻率為DDR3-1333，等效于PC3-10600。

金泰克4GB/1333游戲內(nèi)存

金泰克4GB DDR3-1333內(nèi)存采用原廠芯片和優(yōu)質(zhì)元器件，確保專業(yè)品質(zhì)，徹底杜絕不穩(wěn)定因素。金手指部分采用成熟的化學(xué)鍍金工藝，鍍層均勻厚實，抗干擾能力及導(dǎo) 電性能好，同時也能夠禁受用戶多次的插拔。金手指上方還設(shè)計了滿排的陣列排阻，可以防止信號干擾，對內(nèi)存在高頻下的穩(wěn)定運行提供保障。

金泰克4GB/1333內(nèi)存帶寬測試

在SiSoftware測試中，金泰克4GB/1333內(nèi)存表現(xiàn)不錯，單通道模式下帶寬可以達到近10GB/s，而延遲也僅為76ns，速度優(yōu)勢非常明顯。

金泰克4GB/1333游戲內(nèi)存
   [參考價格]  135元

窄版黑武士 三星4G-1600內(nèi)存185元

爾必達宣告破產(chǎn)保護后，三星目前穩(wěn)居第一大顆粒制造廠商，旗下主打的低功耗窄版內(nèi)存也深受發(fā)燒友的歡迎。

筆者在賣場中了解到，目前三星4GB DDR3-1600“黑武士”原廠內(nèi)存報價165元，完全沒有受到其他品牌調(diào)價的影響，坐懷不亂之勢更吸引消費者的目光。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存(包裝)

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的性能參數(shù)說明

內(nèi)存的包裝背面有詳細“性能參數(shù)說明”，從中可以得知其內(nèi)存的兼容性涵蓋范圍相當廣，從最早出現(xiàn)的 DDR3-800MHz一直到DDR3-1600MHz。其內(nèi)存頻率越高，內(nèi)存時序隨之加大，DDR3-1600高達11-11-11-28，此為 1600MHz頻率的標準時序。

性能參數(shù)的下面中文，則標注其采納目前30nm等級的制造工藝，是目前中國市場中最先進的內(nèi)存顆粒制造工藝，符合240針 DDR3臺式機內(nèi)存接口。它率先支持1.35伏低電壓，首次在臺式機內(nèi)存上實現(xiàn)低于1.5伏標準電壓，不過筆者隨后的測試發(fā)現(xiàn)，其實際電壓比標稱更低，發(fā)熱和功耗進一步減少。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的正面

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存單條容量為4GB，運行頻率為DDR3-1600(等效于PC3-12800)，標準時序11-11-11-28。其編號為 M379B5273DH0-YK0，于2011年第39周產(chǎn)于韓國三星內(nèi)存工廠。金手指方面采用流行的化學(xué)鍍工藝，耐磨度較高。在標簽下面印有 “GREEN DDR3”的燙金字樣。

三星4GB DDR3-1600內(nèi)存的背面

新版三星內(nèi)存采用黑色窄版設(shè)計，大小只有傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品的三分之二；其內(nèi)存顆粒采用30nm級半導(dǎo)體技術(shù)，比40-60nm存儲設(shè)備降低30-47%的能耗。

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本文標題：內(nèi)存頻率如何選 四款熱銷家用內(nèi)存搜羅

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