中芯國際今日發布截至12月31日的2009年年度財務報告。報告顯示，中芯國際2009年度凈虧損9.6億美元。銷售額由2008年的13.5億美元下跌20.9%至2009年的10.7億美元。
報告顯示，中芯國際銷售額由2008年的13.5億美元下跌20.9%至2009年的10.7億美元，主要是由于整體晶圓付運量減少所致。2009年全年，晶圓付運總量為137.7萬片8寸等值晶圓，較去年減少14.6%。
中芯國際稱，公司付運晶圓的平均售價由每片晶圓840美元減少7.5%至每片晶圓778美元。若剔除DRAM業務的收益，利用0.13微米或以下制程技術的晶圓收入所占百分比在上述兩個期間內自38.2%升至47.5%。
2009年，中芯國際經營活動所得現金為2.8億美元，資金開支總計1.9億美元。中芯國際稱，資金主要用于研發45納米技術、擴充上海及天津200毫米晶圓廠的產能、將北京廠的DRAM設施改為生產邏輯晶圓以及為深圳項目取得深圳土地使用權及購買設備。
中芯國際毛利率于2009年最后一季回復至10.5%，中芯國際稱，其目標是2010年保持雙位數字。
中芯國際表示，隨著客戶轉移至平均售價較高的先進制程，產品組合不斷改善，而65納米技術亦持續擴產。資本開支繼續受控，并集中在平均售價較高的產品上。半導體市場整體向好，而且，中國市場更為理想。 （編輯：列娜）
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本文標題：中芯國際2009年凈虧損9.6億美元
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