與其它芯片一樣，出于更低的制造成本和功耗的考慮，閃存的尺寸(工藝制程)也在不斷地縮小。不過，雖然這么做有助于減少每GB的存儲(chǔ)成本，但是負(fù)面效應(yīng)也很明顯——那就是更容易出錯(cuò)。LSI SandForce已經(jīng)介紹了其新一代閃存糾錯(cuò)方案的細(xì)節(jié)，該技術(shù)名為SHIELD，將內(nèi)置到該公司下一代的SSD控制器中。在加州圣克拉拉的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，SandForce揭開了這項(xiàng)全新的技術(shù)，目的是延長采用了更小光刻工藝的NAND閃存的壽命。

LSI SandForce開發(fā)的SHIELD技術(shù)，即通過多層次進(jìn)行糾錯(cuò)。底層為簡單的"硬件級(jí)"奇偶校驗(yàn)，亦稱HLDPC，適用于讀取請(qǐng)求。HLDPC的低開銷特性不至于影響性能，但無法全面捕捉所有的錯(cuò)誤。

在HLDPC之上，還有5個(gè)層級(jí)的"軟"校驗(yàn)。SLDPC層采用了先進(jìn)的噪聲和信號(hào)處理機(jī)制，不過每一層都會(huì)增加更多的延遲。但SHIELD只會(huì)在驅(qū)動(dòng)器有需要的時(shí)候才會(huì)介入，并確定適當(dāng)?shù)募m錯(cuò)層級(jí)。至于具體的參數(shù)，LSI尚未披露。

如果到了SLDPC的第五次，錯(cuò)誤仍在傳播，那么這事件就會(huì)被稱作RAISE。這是一個(gè)類似RAID的冗余方案，與SandForce在當(dāng)前的控制器上所部屬的類似，但它會(huì)增加10毫秒的延遲。LSI表示，因?yàn)樾枰�額外的處理時(shí)間，所以如非必要，最后一級(jí)糾錯(cuò)會(huì)謹(jǐn)慎使用。

據(jù)報(bào)道新的芯片將在今年3季度送往廠家進(jìn)行樣產(chǎn)，因此配備了SHIELD技術(shù)的LSI SandForce產(chǎn)品預(yù)計(jì)會(huì)在年底面世。

[編譯自：TechSpot]

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