6月29日，國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子承諾在美國(guó)德克薩斯州投資10到16億美元，建立一家半導(dǎo)體工廠。

有傳聞稱，三星將在明年的旗艦智能手機(jī)Galaxy S9上配備8nm甚至7nm的處理器。

今年三星推出的以Galaxy S8為代表的智能手機(jī)，采用10nm的驍龍?zhí)幚砥骱虴xynos處理器。明年三星將把芯片提高到7nm，到了2020年計(jì)劃生產(chǎn)4nm的處理器。

從目前來(lái)看，三星想要完成這個(gè)計(jì)劃具有相當(dāng)?shù)碾y度，因?yàn)橐坏┥�產(chǎn)工藝創(chuàng)新到5nm以下，良品率會(huì)變得非常低。

1997年三星在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀市投資設(shè)立了半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠，隨后成為全世界最先進(jìn)的芯片工廠，一直為蘋(píng)果等大客戶和自家公司生產(chǎn)芯片。

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本文標(biāo)題：三星投資10億美元在美國(guó)建廠 明年可能生產(chǎn)8nm處理器

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