業內消息來源稱，NAND閃存主要供應商韓國三星電子和日本東芝正在制定計劃以減緩12英寸晶圓廠產能擴張的速度，防止NAND閃存價格像DRAM一樣跌入無底洞。

臺灣《電子時報》報道，業內消息來源稱，NAND閃存主要供應商韓國三星電子和日本東芝正在制定計劃以減緩12英寸晶圓廠產能擴張的速度，防止NAND閃存價格像DRAM一樣跌入無底洞。

目前三星和東芝的閃存制程正在由21nm向19nm過渡，隨著制程的進步單個晶圓可切割的芯片也越來越多。消息來源表示，由于需求量有限，NAND閃存產品如SSD和U盤成品目前正陷入供過于求的狀態售價接連下跌。

消息來源指出，三星和東芝目前最可能采取的手段是推遲計劃中12英寸晶圓廠擴建的速度。因Ultrabook和SSD的需求在2012年不盡如人意，預計NAND閃存芯片價格將會持續疲軟。但另一陣營的閃存大廠Intel與美光（Micron）聯合即IMFT目前尚看不到采取措施的跡象。

在中國大陸市場，NAND閃存的價格在六月趨于穩定但終端市場產品仍然維持下降趨勢，分析人士認為售價趨穩是由于三星降低了對內地渠道批發商的供貨數量。

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本文標題：傳三星東芝減緩閃存擴張速度 避免重蹈內存覆轍

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