巴塞羅那的WMC 2011世界通信大會上，SanDisk宣布了下一代iNAND、iNAND Ultra嵌入式閃存驅動器(EFD)，封裝體積更加小巧。
SanDisk的新一代iNAND嵌入式閃存芯片采用24nm新工藝制造，結合新的封裝技術，封裝體積減少到僅僅13×11.5×1.0毫米，iNAND EFD驅動器封裝尺寸則是JEDEC標準的12×16毫米，更適合打造輕薄型智能手機、平板機產品，容量最大8GB。
iNAND EFD基于SanDisk X3 NAND閃存技術，每單元存儲三比特數據，iNAND Ultra EFD則基于X2 MLC NAND閃存技術，容量最少2GB，最大64GB，而上代產品最大才不過16GB。
SanDisk將從2011年第三季度開始出貨新一代iNAND嵌入式閃存芯片和驅動器。
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本文標題：SanDisk宣布下一代嵌入式閃存驅動器
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