三星電子今天宣布,已經開發出并開始試產基于MLC NAND多層閃存芯片的固態硬盤,專門面向企業級存儲系統。三星這次使用了30nm級別制造工藝的MLC NAND閃存芯片,總容量有100GB、200GB、400GB三種規格,結合Toggle DDR存儲界面、SATA 3Gbps傳輸界面,性能上可以接近甚至超越目前市場上使用SLC NAND單層閃存芯片的固態硬盤。
三星表示,這種新的MLC固態硬盤的隨機讀取指令處理速度高達43000 IOPS,寫入方面也有11000 IOPS,相比于區區350 IOPS的15000轉企業級機械硬盤讀寫速度分別高出120倍、30倍之多,同時性能功耗比也有后者的150倍,換句話說消耗同等能量的情況下可以多處理150倍的數據。
除此之外,三星還使用了端到端數據保護功能和高級數據加密算法,確保硬盤的可靠性和安全性,以滿足企業級用戶的特殊需要。
三星計劃下個月起批量投產這種新型MLC NAND固態硬盤并向客戶供貨。
Gartner的調研數據顯示,2009年全球服務器和企業級固態硬盤出貨量僅為32.4萬塊,2014年有望猛增至630萬塊,同時收入從4.85億美元增至36億美元。
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