2月2日消息，據國外媒體報道，英特爾公司與美國美光科技（Micron）有望在近日合作推出全球首款25納米的NAND閃存。
根據英特爾公司與美國美光科技對外發布的訊息，這種25納米、容量達到8GB的NAND閃存正在處于抽樣試驗階段，有望在2010年下半年投入大規模生產。
34納米的NAND閃存技術已經于2008年問世，這次推出的25納米的NAND閃存是世界上現今最小的NAND閃存，與2008年問世的NAND閃存相比在技術上已經有很大改進。
這種最新的處理芯片可以在單一的NAND設備上設置8GB的存儲空間，而該設備的大小只有167平方毫米——面積大概與CD光盤中間的小圓洞差不多。這種NAND閃存可以應用在任何需要使用閃存的設備中，比如數碼相機、MP3播放器以及固態存儲磁盤等等。
有分析師在1月29日發布的分析報告中指出，芯片大小僅為167平方毫米，一個300毫米加工廠每個晶圓能夠生產出400多個芯片。按照這一技術，每塊芯片的成本大約是4美元左右，折合每GB容量的成本為0.5美元。
有分析人士表示：“去年NAND閃存的生產成本價格約為每GB 2美元，2010年的價格可能會繼續維持在這樣的水平，這意味著現在生產34納米芯片的廠家能夠獲得更大的利潤，因為他們現在的芯片生產成本大約為每GB 1美元。”
25納米到底有多大呢？——美光科技負責內存產品研發的副總裁布賴恩·謝利（Brian Shirley）給出了這樣的解釋：“假設人類的一根頭發有1英里寬，那么25納米就相當于其中21英寸的寬度。”
與34納米的閃存相比，25納米的NAND閃存的集成性幾乎是后者的兩倍，但是兩者的面積卻幾乎一樣。25毫納米的NAND閃存支持開放式NAND閃存接口——即2.2源同步接口，傳輸速度可以達到每秒200Mbit。
據悉，該25納米的處理芯片將由IM Flash Technologies公司生產，該公司是英特爾與美光科技于2006年聯合組建的一家合資企業。
盡管兩家公司還沒有將25納米NAND閃存的更多細節公布于世，但是謝利表示：“NAND閃存還有很大的技術發展空間，未來一定會有更多體積更小、技術更先進的芯片問世。”
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