Intel計劃在2010年第四季度發(fā)布下一代X25-M桌面固態(tài)硬盤，代號Postville Refresh，最大容量提升到600GB，制造工藝可能會進(jìn)步到2xnm。

相比于桌面產(chǎn)品，Intel的企業(yè)級固態(tài)硬盤X25-E更新步伐明顯慢很多，明年底才會升級到34nm工藝。

根據(jù)此前消息，Intel計劃在2010年第四季度發(fā)布下一代X25-M桌面固態(tài)硬盤，代號Postville Refresh，最大容量提升到600GB，制造工藝可能會進(jìn)步到2xnm。

新一代的X25-E開發(fā)代號則是"Lyndonville"，照例使用SLC NAND閃存芯片，生產(chǎn)工藝是桌面上已經(jīng)使用的34nm(目前是50nm)，容量會有100GB、200GB、400GB三種，大大高于目前的32/64GB，但還是不及桌面版。

作為企業(yè)級產(chǎn)品，X25-E的優(yōu)勢一是長期使用更加穩(wěn)定，適合企業(yè)環(huán)境，二就是讀寫性能更強(qiáng)悍，標(biāo)稱分別為250MB/s和170MB/s，實際測試顯示高達(dá)260MB/s和220MB/s，特別是寫入速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MLC NAND閃存的桌面型號。

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本文標(biāo)題：Intel企業(yè)固態(tài)硬盤明年底升級34nm/400GB

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