由于SSD不包含任何可移動(dòng)部件,與傳統(tǒng)機(jī)械硬盤相比,SSD硬盤具備快速、低能耗且堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì),因此其一經(jīng)面市便倍受用戶歡迎。但其高昂的價(jià)格及相對(duì)較低的存儲(chǔ)容量則成為其進(jìn)一步普及的兩大問題,而上述兩問題則有望在近期得到改善。Intel于近日對(duì)外宣布,將推出采用更先進(jìn)的34nm制造工藝生產(chǎn)NAND閃存SSD固態(tài)硬盤。憑借其更小的芯片尺寸和工程設(shè)計(jì),將有效降低SSD的價(jià)格達(dá)60%,其存儲(chǔ)容量也將進(jìn)一步增加,也將有助SSD進(jìn)一步的普及之勢(shì)。
據(jù)Intel副總裁兼存儲(chǔ)解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Randy Wilhelm表示“Intel的目標(biāo)不僅是率先推出34nm閃存光刻技術(shù),更要保證新產(chǎn)品的性能媲美,甚至超越50nm版本。與上一代的50nm版本相比,Intel最新的34nm X25-M SSD不僅改善了延遲情況,而且顯著增加隨機(jī)寫入運(yùn)算次數(shù),令延遲情況可減少達(dá) 25%,并大幅提高數(shù)據(jù)存取速度,運(yùn)行延遲時(shí)間僅為65微秒,相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤約4000微秒的延遲時(shí)間有著更加明顯的改善。 ”
此外,新硬盤的隨機(jī)寫入性能也提升了兩倍,4KB數(shù)據(jù)塊寫入IOPS“即每秒進(jìn)行讀寫(I/O)操作的次數(shù)”高達(dá)6600次,讀取IOPS也高達(dá)3.5萬(wàn)次,比較一般只有幾百次的IOPS傳統(tǒng)硬盤可謂天差地別,此技術(shù)將令服務(wù)器、工作站等機(jī)型得到最佳的經(jīng)濟(jì)效益。據(jù)了解,采用34nm閃存的Intel X25-M SSD會(huì)有80GB和160GB 兩個(gè)版本可供選擇,最早上市時(shí)間約為九月。(編輯:王小凡)
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本文標(biāo)題:成本降6成 英特爾34nm固態(tài)硬盤近期出貨
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