三星電子一項一期投資多達70億美元的NAND型閃存工廠，將落戶西安。
NAND閃存是主要用于智能手機、平板電腦等移動終端的存儲介質。據韓聯社報道，三星電子稱已就新一代閃存芯片生產與西安簽署諒解備忘錄，預計生產線將在明年年末正式啟動，預計每月芯片產能將達到10萬片。
這一新工廠將使用10納米級別的工藝。10納米級技術是三星計劃在今年投入使用的最新技術，業界人士稱，如采用10納米級制造工藝，使用同等材料生產閃存芯片，產量比起20納米級技術增加約一倍以上。
對于三星來說，來華投資建廠是一次風險不小的嘗試。三星曾十分擔心在海外建設高科技生產線存在技術外泄的風險，過去一直沒有在韓國和美國以外地區建立高科技生產廠。在此之前，三星僅在美國得克薩斯州奧斯丁市設立過一家芯片生產廠。
相比之下，三星的競爭對手海力士早在2004年就投資20億美元落戶無錫，該廠12英寸芯片產能已從初期月產1.8萬片提高到18萬片。
iSuppli半導體首席分析師顧文軍認為，在這個“快魚吃慢魚”的“比快”競爭時代，在中國建廠成了貼近市場、快速反應，充分利用中國資源和市場的重要方式。
“三星之所以改變策略，很大程度上在于中國已經是智能手機、平板電腦等移動終端最大的生產基地和消費市場，而加快在中國布局半導體制造，意在更加貼近中國市場并與蘋果展開全方位的競爭。而且，目前中國的芯片企業整體競爭實力太弱，已基本放棄芯片產業，沒必要擔心技術外泄。”顧文軍對《第一財經日報》說。
三星電子方面也稱，在華建廠的原因主要在于“對當地消費者的需求可以做到快速反應、高效應對”。
根據市研機構Gartner的數據，中國市場去年所消費的NAND內存芯片，占全球市場一半，規模達290億美元，是全球最大的芯片消費國。到2015年，中國市場份額將升至55%。
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本文標題：三星閃存項目落戶西安一期投資70億美元
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