去年1月，三星開發(fā)出40納米DRAM芯片，并從去年7月份開始大規(guī)模生產(chǎn)。三星預計該公司在30納米DRAM芯片技術(shù)上比其他芯片制造商要領(lǐng)先一年。

北京時間2月2日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子周一表示該公司研制出全球首個30納米DRAM（動態(tài)隨機存儲記憶體）芯片。該芯片的容量為2GB。三星將于今年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)。

三星表示，比起現(xiàn)有的40納米DRAM技術(shù)，新技術(shù)可以將生產(chǎn)效率提高60%。

同時，30納米DRAM芯片也更加環(huán)保。這種芯片的功耗只相當于40納米DRAM芯片的85%。

去年1月，三星開發(fā)出40納米DRAM芯片，并從去年7月份開始大規(guī)模生產(chǎn)。三星預計該公司在30納米DRAM芯片技術(shù)上比其他芯片制造商要領(lǐng)先一年。

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本文標題：三星研制出全球首個30納米DRAM芯片

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