1月27日消息，據(jù)韓國媒體報道，三星電子一位副總經(jīng)理跳樓自殺身亡。這位高層是三星電子芯片部門的開發(fā)專家。
據(jù)韓國《朝鮮日報》引述首爾江南警察署1月26日稱，當(dāng)天上午10時30分許，三星電子副總經(jīng)理李某的尸體在首爾江南區(qū)的一處公寓被發(fā)現(xiàn)。警方稱：“目前推定李某從四樓跳樓身亡，尚未發(fā)現(xiàn)遺書。”警方認為，李某很可能是自殺，正在調(diào)查正確的事故原因。警方稱，不會進行尸檢。
李某擁有美國斯坦福大學(xué)工學(xué)博士學(xué)位，在芯片工藝領(lǐng)域具有韓國國內(nèi)最高權(quán)威。他對用于小型IT產(chǎn)品存儲裝置的閃存芯片工藝進行改良，從而被選為在三星集團內(nèi)部只有13人入選的“三星fellow”。
李某曾擔(dān)任三星電子核心事業(yè)部門“閃存研究所”所長，去年初在三星集團進行的人事調(diào)整中，被調(diào)到非存儲器部門系統(tǒng)電路集成（System LSI）研究所擔(dān)任所長，而后在今年初的人事調(diào)整中，再次從研發(fā)部門被調(diào)任System LSI器興工廠廠長。據(jù)警方一位負責(zé)人透露，李某夫人向警方陳述說：“丈夫因這次人事調(diào)動結(jié)果感到非常難過，最近經(jīng)常在外邊喝完酒回家，而他平時很少喝酒。”
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