1月11日消息，臺積電與高通(Qualcomm)宣布正密切合作，將無線通訊產(chǎn)品由45奈米制程直接推進至28奈米制程，以更具成本效益，將更多功能整合在更小芯片上，加速無線通訊產(chǎn)品在新市場的擴展。高通預(yù)計第一批產(chǎn)品將在2010年中投產(chǎn)。
據(jù)臺灣媒體報道，臺積電指出，28奈米制程密度可較前一代制程高出1倍，讓執(zhí)行移動運算的半導(dǎo)體組件，能在更低耗電下，提供更多功能。高通與臺積電目前在28奈米世代的合作，包括高介電層/金屬閘(high-k metal gate, HKMG)的高效能制程技術(shù)，以及具備氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗電高速制程技術(shù)。
高通包括Snapdragon芯片組平臺在內(nèi)的下世代系統(tǒng)單芯片解決方案，小尺寸與低功耗是重要特色。高通與臺積電過去在65奈米與45奈米制程技術(shù)就已密切合作，現(xiàn)在更進一步延伸至低耗電、低漏電的28奈米世代進行量產(chǎn)。高通預(yù)計于2010年中投產(chǎn)首批28奈米產(chǎn)品。
高通并指出，其整合無晶圓廠制造模式(Integrated Fabless Manufacturing；IFM)成功的關(guān)鍵，就是與策略性技術(shù)及集成電路制造伙伴密切合作，不但展現(xiàn)極高的效率，也加速整個產(chǎn)業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
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本文標(biāo)題：高通與臺積電合作28奈米芯片 2010年中投產(chǎn)
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